特許

J-GLOBAL ID：200903084504105940

光導波路成膜装置および光導波路成膜方法

発明者： 川口 茂 ,  吉野 文隆 ,  高橋 文雄
出願人/特許権者： 日本発条株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028452
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227525
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 光導波路の成膜プロセスに用いるガスを反応室に安定して供給できるような配管系を備えた光導波路成膜装置を提供する。【解決手段】 反応室11に酸素を供給するための酸素供給源12と反応室11とがメイン配管20によってつながれ、メイン配管20を流れる大量のO2 ガスによってメイン配管20の内部に高速のメインストリームS1が生じるようになっている。メイン配管20の途中に分岐管22が接続されている。分岐管22の接続部分40には、分岐管22の開口部がメインストリームS1の流れ方向に対し側方に開口して合流部41を構成している。この合流部41において、高速のメインストリームS1が分岐管22の開口部の前方を横切るように通過することにより、分岐管22の開口部付近に静圧低下が生じ、その負圧によって分岐管22の内部の第2のガスがメインストリームS1中に引き込まれるように付勢される。

請求項（抜粋）：

反応室に接続されるメイン配管と、前記メイン配管に第1のガスを供給することにより前記メイン配管の内部に前記反応室に向かって高速で通過するメインストリームを生じさせる第1のガス供給源と、前記メイン配管の途中に接続される分岐管と、第2のガスを発生しかつその蒸気圧によって第2のガスを前記分岐管に送り出す第2のガス供給源とを有し、前記メイン配管と前記分岐管との接続部分には、前記分岐管を前記メインストリームの流れ方向に対し側方に開口させ、前記メインストリームによって前記分岐管の開口部付近に生じさせた静圧低下に基いて該開口部から第2のガスを前記メインストリーム中に引き込む合流部を構成したことを特徴とする光導波路成膜装置。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  C23C 16/44 D

Fターム (5件)：

2H047QA04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238315   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• 特開平3-126872
  
• 液体原料の気化装置およびそれを備えるCVD装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-183184   出願人：日新電機株式会社
• 特開平3-220506