特許
J-GLOBAL ID：200903084505614547
単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173617
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310489
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 結晶軸方向における結晶品質の不均一性を抑制した単結晶を製造する。【解決手段】 結晶品質の不均一性に関与すると推測される引上げ速度について、既存データの時系列変動の規則を学習し、予測し、この予測値と、結晶品質の不均一性データの予測値との対応関係の有無を判定部42にて判断し、有りの場合に当該引上げ速度の適正値を予測し、引上げ速度を調整部44にて制御しつつ単結晶の製造を行なう。
請求項（抜粋）：
単結晶の成長軸方向の断面をX線トポグラフィを用いて写真に記録し、そのネガフィルムに可視光を照射し、その透過光の強度分布を検出し、前記透過光の強度分布に基づいて前記単結晶の不均一性の時系列データを求め、この時系列データの時系列変動の規則の学習を行って、変動の予測を行う一方、前記単結晶成長時における結晶成長条件に関する少なくとも1の要素の時系列データについて、その時系列変動の規則の学習を行って変動の予測を行い、両予測値の相関関係の有無を判定し、判定結果に基づいて前記要素を単結晶の不均一性に関与するパラメータか否かを特定し、該パラメータについて、単結晶成長時に結晶品質の不均一性を緩和できる値を予測し、予測した値に沿うようパラメータを制御しつつ単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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