膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363513
公開番号（公開出願番号）：特開2001-354904
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、PCT(Presure Cooker Test)後の比誘電率特性、PCT後のCMP(Chemical Mechanical Polishing)耐性、PCT後の基板との密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)一般式1、2、3で表される化合物の群から選ばれた1以上の化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウム、脂肪族環状アミン、金属水酸化物から選ばれた一種の化合物と水の存在下で加水分解縮した化合物ならびに(B)有機溶媒を含有する膜形成用組成物。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)(RはH,F原子又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO原子、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2、bおよびcは0〜2、dは0または1、nは1〜6を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウム、脂肪族環状有機アミン、金属水酸化物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物と水の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (4件)：

C09D183/04 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312

FI (4件)：

C09D183/04 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C

Fターム (57件)：

4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038DL071 , 4J038DL161 , 4J038GA01 , 4J038GA07 , 4J038GA09 , 4J038GA12 , 4J038HA096 , 4J038HA176 , 4J038HA216 , 4J038HA326 , 4J038HA376 , 4J038HA416 , 4J038HA476 , 4J038JA18 , 4J038JA20 , 4J038JA21 , 4J038JA22 , 4J038JA26 , 4J038JA33 , 4J038JA34 , 4J038JA37 , 4J038JA38 , 4J038JA41 , 4J038JA42 , 4J038JA56 , 4J038JB01 , 4J038JB11 , 4J038JB13 , 4J038JB18 , 4J038JB27 , 4J038JB29 , 4J038JB30 , 4J038JB38 , 4J038JB39 , 4J038JC13 , 4J038KA04 , 4J038KA16 , 4J038LA03 , 4J038MA08 , 4J038MA10 , 4J038NA11 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC01 , 4J038PC02 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC06 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭53-025655
塗料用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-297174 出願人：ダイキン工業株式会社
特開昭62-230828

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