特許
J-GLOBAL ID：200903084522513436
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-150078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003215
出願日： 1991年06月21日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板の一方の主面に設けられた電極に他方の主面から上記電極に達する貫通孔を設けるケミカルドライエッチングを制御する。【構成】 半導体基板の一方の主面の一部に表面電極を、また、他の部位に反応性イオンエッチングに対し耐蝕性を有するとともにガス化し部材表面を被覆する耐蝕部材膜を被着したのちその露出表面を保護膜で被覆する。ついで半導体基板の他方の主面に反応性イオンエッチングにより前記表面電極および前記耐蝕部材膜に達する貫通孔を夫々穿設し、貫通孔の露出表面が耐蝕部材で被覆されるまで続ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主面の一部にこの半導体基板に穿設される貫通孔に対向する表面電極を形成する工程と、前記半導体基板の一方の主面の前記表面電極が形成されていない部位に、反応性イオンエッチングに対し耐蝕性を有するとともにガス化し部材表面を被覆する耐蝕部材膜を被着したのちその露出表面を保護膜で被覆する工程と、半導体基板の他方の主面に反応性イオンエッチングにより前記表面電極および前記耐蝕部材膜に達する貫通孔を夫々穿設する工程と、前記反応性イオンエッチングをこのエッチングにより生ずる貫通孔の露出表面が耐蝕部材膜で被覆されるまで続ける工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/302
, H01L 29/44
