特許
J-GLOBAL ID：200903084525722966
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037886
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 平坦化に要する時間を短縮することができ、生産性および歩留りを向上することのできる半導体装置の製造方法を実現すること。【構成】 半導体装置を構成する層間絶縁膜を燐、ホウ素等の不純物を含んだ低融点の酸化シリコン膜を用いて形成する工程と、形成された膜の融点以上の熱処理を施し、前記酸化シリコン膜を流動させることにより平坦化を行う熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記熱処理工程を、熱処理を行おうとする酸化シリコン膜中の不純物の飽和蒸気圧以上の雰囲気で行い、前記熱処理工程の後に、膜表面に成長したガラス層を除去する工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体装置を構成する層間絶縁膜を燐、ホウ素等の不純物を含んだ低融点の酸化シリコン膜を用いて形成する工程と、形成された膜の融点以上の熱処理を施し、前記酸化シリコン膜を流動させることにより平坦化を行う熱処理工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記熱処理工程を、熱処理を行おうとする酸化シリコン膜中の不純物の飽和蒸気圧以上の雰囲気で行い、前記熱処理工程の後に、膜表面に成長したガラス層を除去する工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/324
, H01L 21/768
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 K
, H01L 21/90 R
