プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365964
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185538
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】均一な密度の大口径プラズマによる基板処理と、荷電粒子による基板の損傷の軽減。【解決手段】真空容器3の周域に配置され、真空容器3の中にカスプ磁気面9を形成する磁場発生器1,2と、アンテナ7とが同心状に配置されている。磁場発生器1,2とアンテナ7との組合せは、アンテナの内側の領域のうちの外側領域に誘導結合プラズマ13を生成し、且つ、その領域のうちの内側領域に波動励起プラズマ12を生成する。これらのプラズマの重畳作用によって、カスプ磁気面上に均一密度のプラズマを生成し、このカスプ磁気面のアンテナ7と反対側下流に置かれた基板面をプラズマ処理する。実験的事実によれば、アンテナの直径は50mmより大きく100mmより小さいことが形状因子的に好ましい。

請求項（抜粋）：

真空容器と、前記真空容器の周域に配置され前記真空容器の中にカスプ磁気面を形成する磁場発生器と、アンテナとを含有し、前記磁場発生器と前記アンテナの組合せは、前記アンテナの内側の領域のうちの外側領域に誘導結合プラズマを生成し、且つ、前記領域のうちの内側領域に波動励起プラズマを生成するプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Fターム (22件)：

4K057DA02 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DD07 , 4K057DE01 , 4K057DE20 , 4K057DM06 , 4K057DM21 , 4K057DM22 , 4K057DM37 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB11 , 5F004DA04 , 5F004DA24 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EH16 , 5F045EJ05

前のページに戻る