絶縁薄膜製造用アルコキシシラン-有機ポリマー組成物、及びその用途

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樋口武
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998003186
公開番号（公開出願番号）：WO1999-003926
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 1999年01月28日
要約：

【要約】(A)特定のアルコキシシラン;(B)特定の有機ポリマー;及び(C)アルコキシシラン(A)及び有機ポリマー(B)の溶媒であって、アミド基及び/又はエステル基を有する有機溶媒を含む溶媒、を包含してなる、絶縁薄膜製造用アルコキシシラン-有機ポリマー組成物が開示される。本発明の組成物を成形して薄膜を形成させ、得られた薄膜中のアルコキシシランを加水分解・脱水縮合反応させてアルコキシシランをゲル化し、そして残存する溶媒を除去して得られるシリカ-有機ポリマー複合体薄膜、及び複合体薄膜より有機ポリマーを除去して得られる多孔質シリカ薄膜は、誘電率が低く、半導体素子の多層配線構造体用の絶縁層として適しているのみならず、現行の半導体素子製造プロセスにおいて容易に実施可能な方法で製造することが可能である。また、上記の組成物を用いて得られる絶縁性複合体薄膜、及び該絶縁性複合体薄膜から得られる多孔性シリカ薄膜、並びにそれらの用途が開示される。

請求項（抜粋）：

(A)下記式(1)〜(5): Si(OR)4 (1), R1Si(OR)3 (2), R1R2Si(OR)2 (3), R1R2R3SiOR (4),及び (RO)3Si-R4-Si(OR)3 (5)(式中、各Rは、各々独立に、炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、R1、R2及びR3は、各々独立に、水素原子又は炭素数1〜6の1価の炭化水素基を表し、R4は炭素数1〜6の2価の炭化水素基を表わす。)によってそれぞれ表される(1)テトラアルコキシシラン,(2)トリアルコキシシラン,(3)ジアルコキシシラン,(4)モノアルコキシシラン及び(5)トリアルコキシシラン2量体よりなる群から選ばれる少なくとも1種のアルコキシシラン、但し、上記アルコキシシラン(3)及び(4)より選ばれる少なくとも1種のアルコキシシランは、上記アルコキシシラン(1)、(2)及び(5)より選ばれる少なくとも1種のアルコキシシランと組合わせて用いる;(B)炭素数が2〜12のエーテル基含有繰り返し単位を有する脂肪族ポリエーテル鎖、炭素数が2〜12のエステル基含有繰り返し単位を有する脂肪族ポリエステル鎖、炭素数が2〜12のカーボネート基含有繰り返し単位を有する脂肪族ポリカーボネート鎖、及び炭素数が2〜12のアンハンドライド基含有繰り返し単位を有する脂肪族ポリアンハイドライド鎖よりなる群より選ばれる少なくとも1種の脂肪族ポリマー鎖から主に構成される主鎖を有する少なくとも一種の有機ポリマー;及び(C)該アルコキシシラン(A)及び該有機ポリマー(B)の溶媒であって、アミド結合を有する有機溶媒及びエステル結合を有する有機溶媒よりなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒を含有する溶媒、を包含してなる、絶縁薄膜製造用アルコキシシラン-有機ポリマー組成物。

IPC (12件)：

C08L 83/04 , C08L 67/02 , C08L 69/00 , C08L 71/02 , C08K 5/10 , C08K 5/20 , C08J 5/18 , C08J 9/26 , B32B 27/00 , C01B 33/12 , H01L 21/3205 , H01L 21/316

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