特許
J-GLOBAL ID：200903084527204601
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244066
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 リッジ部の両側に空洞のない良好な性能の半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 活性層を含む所定の半導体材料層が形成された半導体基板上に積層されたリッジ状のクラッド層と、クラッド層上に積層されたリッジ状のキャップ層と、クラッド層の両側に形成された電流ブロック層とで構成される半導体レーザ素子であり、この半導体レーザ素子のクラッド層と電流ブロック層との間に耐酸化性半導体材料層を積層する。
請求項（抜粋）：
活性層を含む所定の半導体材料層が形成された半導体基板上に積層されたリッジ状のクラッド層と、クラッド層上に積層されたリッジ状のキャップ層と、クラッド層の両側に形成された電流ブロック層と、クラッド層と電流ブロック層との間に積層された耐酸化性半導体材料層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (4件)：
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073CA05
, 5F073EA29
