特許
J-GLOBAL ID：200903084530283601
CMOS高電圧スイッチング制御装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-268040
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 pMOS素子及びnMOS素子を利用する低電圧CMOSスイッチング制御装置であって、高電圧源のスイッチングを制御するものを提供する。【構成】 2つのpMOS素子が、出力端子における高電圧レベルを制御すべく、スイッチとして使用されると共に、1つのnMOS素子が、出力電圧が安全なレベルにまで下がったときに出力端子を接地にスイッチングすべく、使用される。CMOS高電圧スイッチング制御装置は、両方のpMOS素子が同時にオンになるのを防止する回路も備えており、もって、高電圧源は、接地へと分路される。
請求項（抜粋）：
低電圧CMOSトランジスタを使用している制御装置の出力における高電圧をスイッチングする方法であって、該制御装置の該出力における該高電圧を、少なくとも1つのpMOSトランジスタを用いてより低い電圧にスイッチングする第1スイッチング段階と、該制御装置の該出力における電圧が安全なレベルに達したときに、nMOSトランジスタを用いて該制御装置の該出力を接地にスイッチングする第2スイッチング段階と、を具備する方法。
IPC (5件)：
H03K 17/687
, H02M 3/155
, H03K 17/06
, H03K 17/10
, H03K 17/16
