特許
J-GLOBAL ID:200903084531239231
電気回路の製造方法及び該方法で製造した電気回路、有機薄膜トランジスタの製造方法、該方法で製造した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタアレイ
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-176201
公開番号(公開出願番号):特開2005-012061
出願日: 2003年06月20日
公開日(公表日): 2005年01月13日
要約:
【課題】高精細なパターンを容易に形成する電気回路の製造方法、真空系やフォトリソグラフ技術を用いなくとも、精度の高い有機TFT素子を簡易かつ効率的に作成でき、素子のバラツキを抑制し、製造安定性を高めることができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基材上に導電性を有する領域を形成する工程、前記導電性領域を帯電させる工程、及び材料を液滴として所望の位置に供給するパターン形成装置を用いて、前記導電性領域と逆帯電させた材料を該導電性領域上に供給する工程を有する電気回路の製造方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基材上に導電性を有する領域を形成する工程、
前記導電性領域を帯電させる工程、及び
材料を液滴として所望の位置に供給するパターン形成装置を用いて、前記導電性領域と逆極性に帯電させた材料を該導電性領域上に供給する工程
を有することを特徴とする電気回路の製造方法。
IPC (4件):
H01L29/786
, H01L21/288
, H01L21/336
, H01L51/00
FI (7件):
H01L29/78 618B
, H01L21/288 Z
, H01L29/78 627C
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 616K
, H01L29/28
Fターム (49件):
4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104DD51
, 4M104EE03
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104HH14
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE01
, 5F110EE37
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG24
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK32
, 5F110HM19
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
前のページに戻る