特許
J-GLOBAL ID：200903084534679127
薄膜コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026087
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199373
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 誘電体薄膜にかかる電界強度を緩和してリーク電流を抑え、破壊電圧を高める。【解決手段】 基板1上に配設された下部電極2上に誘電体薄膜3を配設し、さらに誘電体薄膜3上に上部電極4を配設してなる、エアブリッジ構造を有する薄膜コンデンサにおいて、上記誘電体薄膜3上に、その平面形状に対応するように上部電極4を配設して、誘電体薄膜3と上部電極4との間に段部が形成されないようにするとともに、少なくとも、上部電極4のエッジ部4e近傍の、誘電体薄膜3及び上部電極4の露出面を、誘電体薄膜3を構成する誘電体よりも破壊電圧の高い材料(保護膜)5で覆う。
請求項（抜粋）：
基板上に配設された下部電極と、前記下部電極上に配設された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に配設された、引出し部分がエアブリッジ構造を有する上部電極とを備えてなる薄膜コンデンサにおいて、前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に段部が形成されないように、前記誘電体膜上に、その平面形状に対応するように前記上部電極を配設し、かつ、少なくとも、上部電極のエッジ部近傍の、前記誘電体薄膜及び前記上部電極の露出面を、前記誘電体薄膜を構成する誘電体よりも破壊電圧の高い材料で覆ったことを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/06 102
, H01G 1/02 J
