特許
J-GLOBAL ID：200903084535624555
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001172
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211137
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】コイルにより磁場を印加してマイクロ波ドライエッチングを行う装置において、被処理物近傍での磁場強度を均一にすることによって試料のエッチングの均一化を図る。【構成】試料台101周辺部に強磁性体102を埋め込み、実際のエッチングを行う前に予めコイル104の磁場により強磁性体102を磁化しておく。
請求項（抜粋）：
マイクロ波ドライエッチングに用いる半導体製造装置において、磁場を発生させるコイルを反応室周辺部に有し、反応室内部に適当な配置で強磁性体を備えた試料台を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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