特許

J-GLOBAL ID：200903084542476570

圧電素子及びその加工方法

発明者： 長浦 善昭
出願人/特許権者： 長浦 善昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277826
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 従来困難とされた、製造限界の厚みよりも薄い、圧電素子、及びシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料、及びその他の物質を、加工するための、加工工具及びその加工方法を提供する。【解決手段】 水晶板、又はシリコン、又はガリウムヒ素などの電子材料を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板13(水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE加工などの、化学的なエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、62μmとする)を、除去した後、RIE加工などの、化学的なエッチング加工によって発生する数μm、再度、研磨加工することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水晶板を、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はその他の研磨加工機械を使用して、研磨加工した水晶板(例えば、水晶板の厚さを80μmとして、水晶板の直径を2インチとする)を、片面、又は両面から、RIE(Reactive Ion Etching)加工などの、化学的なエッチング加工を行って、数10μm前後(例えば、60μmとする)を、除去した後、RIE加工などの、化学的なエッチング加工によって発生する数μmの凸凹(例えば、RIE加工にて、60μm除去すると、約0.2μmから3μmの、ダメージ層、又は加工変質層、又は凸凹が発生する)を、再度、両面研磨加工機械、又は片面研磨加工機械、又はフロートポリシング機械、又はその他の研磨加工手段によって研磨加工をする、水晶板などの圧電素材、又はシリコン、ガリウムヒ素などの電子材料を加工することを特徴とする、圧電素子の加工方法。

IPC (6件)：

H01L 41/09 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H03H 3/02

FI (7件)：

H01L 41/08 C ,  B24B 37/00 Z ,  H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 621 B ,  H03H 3/02 B ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 D