特許

J-GLOBAL ID：200903084549968133

半導体集積回路装置及びその設計方法

発明者： ▲高▼相 知郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036052
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】別々の設計データ(CADデータ)に依存している集積回路どうしにおける接続部の配線の自由度を向上させ、高集積で高信頼性の接続部構造を有する半導体集積回路装置及びその設計方法を提供する。【解決手段】LSIチップ1上においてゲートアレイ集積回路11側とマクロセル12側の配線パターン相互の接続部13は、互いに異なる配線層により自動配置配線されている。上記接続端部13は、ゲートアレイ集積回路11側、マクロセル12側のうちのいずれかの配線端部に多層構造の接続専用パターンSTCONを設けている。

請求項（抜粋）：

第1の半導体集積回路と、前記第1の半導体集積回路に隣接して配置された第2の半導体集積回路と、前記第1の半導体集積回路に属する第1配線と第2の半導体集積回路に属する第2配線の相互接続部と、を具備し、前記相互接続部は少なくとも異なる配線層に構成された前記第1配線と第2配線どうしが接続可能な多層構造が含まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/118 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 M ,  H01L 21/82 C ,  H01L 27/04 U

Fターム (19件)：

5F038CA04 ,  5F038CA20 ,  5F038CD20 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA03 ,  5F064AA20 ,  5F064BB40 ,  5F064CC09 ,  5F064DD22 ,  5F064EE02 ,  5F064EE12 ,  5F064EE23 ,  5F064EE27 ,  5F064EE60 ,  5F064HH06 ,  5F064HH12 ,  5F064HH20