特許
J-GLOBAL ID：200903084555617679
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311578
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167719
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 光の影響により液晶表示装置の表示性能が劣化することなく、光を完全に遮断することができる。【構成】 透明基板1上に形成された遮光膜2、遮光膜2上に形成された薄膜トランジスタにおいて、遮光膜2は薄膜トランジスタを構成する半導体膜4及び該周囲に形成された絶縁膜により自己整合的にパターン形成してなるものである。
請求項（抜粋）：
透明基板上に形成された遮光膜、該遮光膜上に形成された薄膜トランジスタにおいて、上記遮光膜は上記薄膜トランジスタを構成する半導体膜及び該周囲に形成された絶縁膜により自己整合的にパターン形成してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
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