特許
J-GLOBAL ID：200903084555755087
チタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-266599
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118062
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【構成】 平均粒径 0.5〜1.4 μmの炭酸バリウム粉末と、平均粒径 0.5〜1.1μmの酸化チタン粉末とが主原料として用いられ、上記炭酸バリウム粉末および酸化チタン粉末がアニオン性の有機系分散剤と共に混合され、酸化雰囲気下にて焼成されたものであるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製法。【効果】 混合時にアニオン性の有機系分散剤が添加されることにより各微粒子原料をそれらの凝集を回避しながら均一に混合できるという効果が十分に発揮されるので、室温時の比抵抗を小さくできると共に絶縁破壊電圧を高くできるという特性が、毒性を有する鉛を含まなくとも得られる。このことから、鉛による製造環境の劣化を回避できる。
請求項（抜粋）：
平均粒径 0.5〜1.4 μmの炭酸バリウム粉末と、平均粒径 0.5〜1.1 μmの酸化チタン粉末とが主原料として用いられ、上記炭酸バリウム粉末および酸化チタン粉末が、混合され、酸化雰囲気下にて焼成されたものであることを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/46
, C01G 23/00
, H01C 7/02
