特許

J-GLOBAL ID：200903084555820091

SiO2中のナノ結晶ケイ素および独立ケイ素ナノ粒子の調製方法

発明者： ジョナサン・ゴードン・コン・ヴェイノット ,  コリン・マイケル・ヘッセル
出願人/特許権者： ザ・ガバナーズ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アルバータ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-512658
公開番号（公開出願番号）：特表2008-545826
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

水素シルセスキオキサン(HSQ)を還元的熱硬化条件下で処理することによりナノ結晶Si/SiO2複合材料を調製する方法が記載されている。また、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を酸エッチングすることによりケイ素ナノ粒子を調製する方法も記載されている。

請求項（抜粋）：

水素シルセスキオキサン(HSQ)を含む前駆体を還元的熱条件下で、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を生成させるのに十分な時間および温度で硬化させることを含む、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を調製する方法。

IPC (5件)：

C09K 11/08 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/12 ,  C01B 33/02 ,  C09K 11/59

FI (5件)：

C09K11/08 A ,  B82B3/00 ,  C01B33/12 A ,  C01B33/02 Z ,  C09K11/59

Fターム (20件)：

4G072AA38 ,  4G072BB09 ,  4G072DD07 ,  4G072DD08 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ13 ,  4G072LL01 ,  4G072LL02 ,  4G072LL03 ,  4G072MM40 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072RR04 ,  4G072UU04 ,  4H001CC05 ,  4H001CC13 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Curing study of hydrogen silsesquioxane under H2/N2 ambient