半導体記憶装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-103753
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270498
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】NO複合膜を容量絶縁膜として用いる時に、窒化膜表面の熱酸化時に下地パターンのエッジ部で窒化膜が破れることを防止する。【解決手段】下地ポリシリコン膜2の表面を熱酸化した後、熱酸化膜6を除去することで、下地ポリシリコン膜2のパターンエッジ部を縁取りし、丸みを帯びた形状にする。しかる後、シリコン窒化膜3を形成し、その表面を熱酸化して酸化膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の多結晶シリコン膜を形成し、この第1の多結晶シリコン膜をキャパシタの下部電極パターンに加工する第1の工程と、前記第1の多結晶シリコン膜表面を熱酸化して前記第1の多結晶シリコン膜上に第1のシリコン酸化膜を形成する第2の工程と、前記第1のシリコン酸化膜を除去する第3の工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する第4の工程と、前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する第5の工程と、前記第2のシリコン酸化膜上に第2の多結晶シリコン膜を形成する第6の工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 A , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

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