特許

J-GLOBAL ID：200903084558155200

半導体装置とその評価方法

発明者： 河原 博之
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127189
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326662
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 EM耐性評価を一度に複数のコンタクトについてウエハーレベルで評価可能にし、さらに高ストレス下で評価時間を短縮する。【構成】 Al-Si-Cu層/TiN層/Ti層の積層構造であるAl配線層21で、バリアメタルと呼ばれる。n型半導体層22は電流が流れる能動領域である。p型素子分離層23は半導体基板の所定の位置に形成された隣接する素子と電気的に分離するp型素子分離層である。層間絶縁膜はAl配線層21とn型半導体層22およびp型素子分離層23とのコンタクトのため開口部が設けられている。コンタクト24の寿命評価の信頼度の関係から16コ設けられている。第1端子25はAl配線層21とn型半導体層22とのコンタクト24を含み、第2端子26はAl配線層21とn型半導体層22とのコンタクトを含み、第3端子27はAl配線層21とp型素子分離層23とのコンタクト24を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所定の位置に形成された第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の所定の位置に形成された第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に少なくとも一つの第1の開口部と、前記第2導電型半導体層に少なくとも三つの第2の開口部を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に下層部に少なくとも高融点金属を含む層で構成された積層の金属配線層と、前記絶縁膜上の前記第1、2の開口部を通じて前記第2導電型半導体層と前記金属配線層とが接続される接触部と、少なくとも二つの前記接触部と前記金属配線層により接続される第1端子と、前記接触部と前記第2導電型半導体層を介して接続される第2端子と、前記第1導電型半導体層と前記金属配線層により接続された第3端子を有することを特徴とする半導体装置。