特許

J-GLOBAL ID：200903084558897133

磁気抵抗センサ及びその製造方法、磁気記憶システム

発明者： ピーター・マイケル・ボウムガルト ,  ベルナール・ディーニ ,  ブルース・アルビン・ガーニイ ,  バージン・サイモン・スペリオス ,  デニス・リチャード・ウィルホイト
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161294
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111252
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 読取り要素の抵抗の成分が2つの隣接する磁性層の磁化の方向の間の角度の余弦として変動するスピン・バルブ効果に基づく磁気抵抗読取りセンサの提供。【構成】 センサ読取り要素は非磁性金属層(45)によって分離された2つの隣接する強磁性層(43、47)を含んでいる。反強磁性体の層(51)が強磁性層の一方の上に形成され、一方の強磁性層の磁化方向(48)を固定ないし「ピン止め」する交換バイアス場をもたらす。軟磁性体の中間層(49)が強磁性層と反強磁性層の間に付着され、強磁性層と反強磁性層を分離し、特に強磁性体が鉄または鉄合金である場合に、交換結合を強化する。

請求項（抜粋）：

非磁性金属材料の層によって分離された強磁性体の第1及び第2の層であって、強磁性体の前記第1層の磁化方向が印加磁場ゼロで強磁性体の前記第2層の磁化方向に垂直である第1及び第2の強磁性層と、前記第2強磁性層に隣接し、これと接触している軟磁性体の層と、軟磁性体の前記層に隣接し、これと接触している反強磁性体の層とからなり、該反強磁性層が前記軟磁性層によって前記第2強磁性層から分離され、該軟磁性層と前記第2強磁性層とが該反強磁性層に密着した2重層を形成し、前記反強磁性層が前記2重層にバイアス場をもたらし、これによって該2重層の磁化の方向を固定する磁気抵抗センサ。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/06 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-248578