サージ防護デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：福田武通 (外2名) , 福田武通 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314781
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】パンチスルー現象を利用し、ブレークオーバ型のサージ防護素子において、ブレークオーバ電流や保持電流のばらつきを抑え、サージ耐量を増す。【構成】第一半導体領域1と第一のpn接合を形成する第二半導体領域2、第二半導体領域2と第二のpn接合を形成する第三半導体領域3、第二半導体領域とは異なる部位で第一半導体領域1と第三のpn接合を形成する第四半導体領域4を有して成るサージ防護素子において、第二半導体領域2を、パンチスルー生成用領域部分21とパンチスルー抑制用領域部分22とから構成する。パンチスルー抑制用領域部分22は第三半導体領域3の角部を覆うように設け、パンチスルー生成用領域部分21はその厚みが均一となる部位に設ける。

請求項（抜粋）：

第一半導体領域と,該第一半導体領域との間で第一のpn接合を形成する第二の半導体領域と,該第二半導体領域を挟んで上記第一半導体領域に対向し、該第二半導体領域との間で第二のpn接合を形成する第三の半導体領域と,該第二半導体領域とは離れた所で上記第一半導体領域との間で第三のpn接合を形成する第四半導体領域とを有し,上記第二、第三半導体領域の各表面に共通にオーミック接触する第一オーミック電極と上記第四半導体領域にオーミック接触する第二オーミック電極との間に上記第一pn接合を逆バイアスする極性のサージが印加されたときにのみ、上記第二半導体領域を介してその厚味方向に空乏層が伸び、該空乏層が上記第三半導体領域に到達することにより上記第一、第三半導体領域間がパンチスルーして降伏動作の開始となり、該パンチスルー生成後、上記第一、第二オーミック電極間を流れる電流の増大と共に上記第二半導体領域内に生ずる電圧降下により上記第二のpn接合をオンとしてブレークオーバ特性を呈するサージ防護デバイスにおいて;上記第二半導体領域を、上記空乏層を伸ばさせるべきパンチスルー生成用領域部分と、該空乏層の伸びを抑えるパンチスルー抑制用領域部分とから構成し;該パンチスルー抑制用領域部分は、上記第三半導体領域の角部を覆うように設ける一方;上記パンチスルー生成用領域部分は、上記第三半導体領域と上記第一半導体領域とが対向し合う平坦性の高い面部分同志の間にのみ設けるようにしたこと;を特徴とするサージ防護デバイス。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-307265
特開平3-215979
特開昭61-158179

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