特許

J-GLOBAL ID：200903084574395792

パワ-モジュ-ル用基板およびその基板を用いたパワ-モジュ-ル

発明者： 広瀬 義幸 ,  佐々木 一隆 ,  嶋津 充 ,  仲田 博彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021480
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082774
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 パワーモジュール用基板として、IGBTチップなどを固定したセラミック基板を、はんだを用いずに機械的に固定する際に発生する割れを解消し、セラミック基板から放熱板への放熱性を改善する。【解決手段】 パワーモジュール用基板としての窒化アルミニウムセラミックスなどを用いたセラミックス基材1の放熱板5への固定部において、セラミックス基材1の表面に金属層2が設けられており、また、裏面全面に金属膜11が設けられている。

請求項（抜粋）：

セラミックス基材を用いたパワーモジュール用基板であって、前記パワーモジュール用基板は、半導体素子を搭載し密封された電流制御部と、前記セラミックス基材を放熱板に固定する固定部とを有し、前記電流制御部は、前記セラミックス基材上に介在層を介して設けられる導体層を有する積層構造単位を1単位以上含み、前記積層構造の最上層に前記半導体素子が搭載されており、前記固定部は、前記セラミックス基材の上に介在層を介して設けられる金属層を含む固定座領域を有する、パワーモジュール用基板。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M