特許

J-GLOBAL ID：200903084578482150

半導体メモリ装置

発明者： 佐々木 敏夫 ,  田中 利広
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229865
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085691
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 複数のメモリチップからなる半導体メモリ装置において、チップ間で予備メモリを相互利用する。【構成】 半導体メモリ装置2に予備メモリ37を外部からアクセスできる共通冗長回路10と外部端子18と付加し、冗長回路10に半導体メモリ装置2の自己の欠陥アドレスを記憶する領域80aと同一構成の相手方の装置2の欠陥アドレスを記憶する領域80bとを設けて、半導体メモリ装置2の正規メモリの欠陥を装置2自身の予備メモリ37で救済できない場合にも同一構成の相手方の装置2で救済を可能とする。【効果】 半導体メモリ装置は歩留まりが向上し、また市場においても欠陥を救済できるので信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

(1)情報を蓄積する正規メモリと、所定のメモリセルを選択する正規デコーダとからなる正規メモリブロックと、(2)上記正規メモリの救済に用いる予備メモリと、予備メモリを選択する予備デコーダとからなる予備メモリブロックと、(3)欠陥アドレスを予めプログラムし、該プログラムされた上記欠陥アドレスとアドレス信号とを一致比較して、上記アドレス信号が上記欠陥アドレスに一致すると、上記予備デコーダを活性化するプログラム/比較部とを少なくとも具備してなる半導体メモリ装置であって、上記プログラム/比較部に、上記半導体メモリ装置自身の欠陥アドレスを記憶する空間と、上記半導体メモリ装置の相手側の半導体メモリ装置の欠陥アドレスを記憶する空間との両方の欠陥アドレス記憶空間を設けたことを特長とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  G06F 12/16 310

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-003324   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246831   出願人：三菱電機株式会社