特許

J-GLOBAL ID：200903084584025853

高電圧半導体構造

発明者： シャン・ヒュイ・ツー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165848
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099328
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 高電圧半導体構造10が提供される。【構成】 高電圧半導体構造10は第1導電形の半導体基板11を含む。構造10はまた、主整流性接合を提供する第1領域12,半導体基板11内に形成されて第1領域12の周囲にある第2導電形の第2領域13,17,21,および第2導電形の第3領域14,18,22を含む。第3領域14,18,22は、第2領域13,17,21に比べて、導電率が低く、接合深さ36が大きい。第3領域14,18,22は第2領域13,17,21の周囲にあってこれと接触し、高電圧半導体構造10の降伏電圧を改良(上昇)するフィールド・リングを形成する。

請求項（抜粋）：

高電圧半導体構造(10)であって:第1導電形の半導体基板(11);前記半導体基板(11)の第1表面に配置されて、主整流性接合を設ける第1領域(12);前記半導体基板(11)の第1表面に形成され、前記第1領域(12)の周囲にある第2導電形の第2領域(13);および、前記半導体基板(11)の第1表面に形成される前記第2導電形の第3領域(14)であって、前記第3領域(14)は前記第2領域(13)に比べて導電率が低く、前記第3領域(14)は前記第2領域(13)の第1側面と接触する第3領域(14);の組み合わせを含むことを特徴とする高電圧半導体構造。

IPC (2件)：

H01L 29/91 ,  H01L 29/784