特許

J-GLOBAL ID：200903084591188652

オーミック接点の形成方法

発明者： ルップ、ローラント ,  ヴィーデンホーファー、アルノ
出願人/特許権者： サイスド エレクトロニクス デヴェロプメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571488
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525870
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】少なくとも1つのオーミック接点(2)と少なくとも1つのショットキー接点(4)を有するSiCから成る基板(1)を備え、エピタキシー層(3)を成長させる際に少なくとも1300°C以上の温度に上げて行うデバイスの製造方法に関する。オーミック接点(2)の形成がデバイス上の他の構造物を劣化させず、かつ高温での後の処理工程により影響されないよう、基板(1)上へのオーミック接点用の第1の金属の被着を、エピタキシー層(3)を成長させる前に行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも以下の工程、即ち 基板(1)の第1の表面上に1300°C以上の温度でエピタキシー層(3)を成長させ、 基板の第2の表面上にオーミック接点(2)用の第1の金属を、またエピタキシー層(3)上にショットキー接点(4)用の第2の金属を高温で施す工程により、少なくとも1つのオーミック接点(2)と少なくとも1つのショットキー接点(4)を有するSiCから成る基板(1)を有するデバイスの製造方法において、 エピタキシー層(3)を成長させる前に、オーミック接点(2)用の第1の金属を施すことを特徴とするオーミック接点の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/46 R

Fターム (13件)：

4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15