特許

J-GLOBAL ID：200903084593345178

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小 林 郁 典 ,  竹 田 守 ,  美 濃 美 子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341836
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188265
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタアレイのAlを主材とする信号配線と酸化インジウム錫(ITO)からなる透明画素電極が同一主面上にある構造を、すべてポジレジストを用いてパターニングできるようにする。【構成】 透明絶縁基板11のITO画素電極17と同一主面上に形成されたAlまたはその合金のソース・ドレイン電極19の上にアルカリ水溶液中でITOの還元電位よりも酸化電位が貴であるMoまたはTi層20を配置することにより、ポジ現像液中でAlとITOとの酸化還元反応が抑制され、ITOの腐食を防止できる。

請求項（抜粋）：

基板の同一主面上に酸化インジウム錫導電体と金属層とが形成されている半導体装置において、前記金属層がアルミニウムまたはアルミニウム合金とその上層にアルカリ性水溶液中の酸化インジウム錫の還元電位よりも酸化電位が貴である金属とを配置した構造を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/40

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-293021