特許
J-GLOBAL ID：200903084594081999
半導体装置のキャパシタ及びその製造方法並びに該キャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148419
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140569
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 限られた面積内においてキャパシタ容量を増大させる。【構成】 基板の一面が複数のシリンダ状断面を有する第1伝導層基板、そのシリンダ状断面の表面に沿って形成された誘電体膜及びその上部に形成された第2伝導層基板からなる構造とする。かかるキャパシタは、第1伝導層を形成し、その上に酸化防止膜を形成し、その上部にポリシリコンを蒸着した後、熱処理してくねくねした断面を形成し、前記ポリシリコン層を酸化してシリコン酸化膜を形成する段階と、前記酸化防止膜及びシリコン酸化膜をエッチングして第1伝導層を部分的に現わすようにする段階と、残りの酸化防止膜及びシリコン酸化膜をマスクとして第1伝導層を所定の深さでエッチングする段階と、前記酸化防止膜及びシリコン酸化膜を除去する段階と、前記第1伝導層の表面に沿って誘電体膜を形成し、その上部に第2伝導層を形成する段階で製造する。
請求項（抜粋）：
基板の一面が複数のシリンダ状断面を有する第1伝導層、そのシリンダ状断面の表面に沿って形成された誘電体膜及びその上部に形成された第2伝導層で構成することを特徴とする半導体装置のキャパシタ。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/318
, H01L 27/108
H01L 27/10 325 M
, H01L 27/10 325 C
