特許

J-GLOBAL ID：200903084595067930

結晶性SiC薄膜の構造およびその製造方法

発明者： 宮里 達郎 ,  孫 勇
出願人/特許権者： 財団法人 北九州産業学術推進機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215882
公開番号（公開出願番号）：特開2003-026500
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】 生成中の立方晶SiCとSi基板との間のバッファ層中のGeのロスを防ぎ、高品質の結晶性SiC薄膜を得る結晶性SiC薄膜の構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板11と結晶性SiC薄膜13との間のヘテロ界面にGeCバッファ層12を介したので、結晶性SiC薄膜13の製造時、立方晶SiCとSiとの格子不整合を緩和し、立方晶SiC中の結晶欠陥密度を低減することができる。しかも、水素プラズマスパッタリング法の利用で、立方晶SiCの生成温度が下がる。その結果、立方晶SiCの生成中、バッファ層のGeがロスせず、より以上に高品質の結晶性SiC薄膜13が得られる。

請求項（抜粋）：

Si基板の表面に、GeCバッファ層を介して、結晶性SiC薄膜が形成された結晶性SiC薄膜の構造。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/203 S

Fターム (16件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA12 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD17 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP18 ,  5F103RR04 ,  5F103RR08