特許
J-GLOBAL ID：200903084597612260
高周波モジュール装置の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286837
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128029
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】高周波特性の向上、小型化、低価格化を図る。【解決手段】ダミー基板の平坦化された主面上に、一部にキャパシタ12等を有する第1の単位配線層5〜第3の単位配線層7が積層形成されることで、最上層の接続面2aから第3のパターン配線が露出する高周波回路部2を、入出力端子部18を露出するベース基板3の実装面3aに、第3のパターン配線と入出力端子部18とを接続させるように実装した後に、ダミー基板を除去することにより、高周波回路部2におけるキャパシタ12等を精度良く形成できて高周波特性が向上されると共に、高周波回路部2の必要な部分だけをベース基板3に実装できることから小型化、低価格化が図られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダミー基板の平坦化された主面上に、一部に受動素子が設けられた配線層と、絶縁層とを有する単位配線層が、互いの上記配線層が電気的に層間接続されるように複数積層形成され、上記単位配線層の最上層の主面から上記配線層を露出する高周波回路部を形成する回路部形成工程と、
接続部が形成されたベース基板の主面に、当該接続部と上記単位配線層の最上層の主面で露出する上記配線層とを接合させるように上記高周波回路部を実装する実装工程と、
上記ベース基板の主面に実装された上記高周波回路部から、上記ダミー基板を除去する除去工程とを有することを特徴とする高周波モジュール装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 B
, H01L23/12 301Z
