特許
J-GLOBAL ID：200903084615549724
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068967
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 パワー素子とリードフレームを直接半田接合するように構成しながら、過電流の継続状態を遮断可能にする。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、パワー素子2と、このパワー素子2の主電極に接続されたパワーリード3a、4aとを備え、パワー素子2を樹脂9でモールドすると共に、パワーリード3a、4aをモールド樹脂部10から突設させるように構成したものにおいて、パワーリード3a、4aにヒューズ部4cを設けたものである。この構成の場合、過電流が流れると、パワーリードのヒューズ部が溶断することから、過電流の継続状態を確実に遮断できる。
請求項（抜粋）：
パワー素子と、このパワー素子の主電極に接続されたパワーリードとを備え、前記パワー素子を樹脂でモールドすると共に、前記パワーリードをモールド樹脂部から突設させるように構成した半導体装置において、前記パワーリードのうちの少なくとも1つにヒューズ部を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/48 L
, H01L 23/48 P
, H01L 23/56 C
