特許

J-GLOBAL ID：200903084620310977

光機能増幅素子及びその動作方法

発明者： 横山 弘之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003885
公開番号（公開出願番号）：特開平10-197835
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】100GHzを越えるような高い繰り返し速度で動作する光ゲートを実現するための光機能増幅素子とその動作方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ増幅器1の一端側に可飽和吸収領域2を設け、入力信号光パルス列21を可飽和吸収領域2側から、ゲート光パルス列22を他端側(利得領域3側)から、それぞれ半導体レーザ増幅器1に入射させる。ゲート光パルスは、利得領域3で増幅され、可飽和吸収領域2の強い吸収を飽和状態とする。これにより、入力信号光パルスは、可飽和吸収領域2を通過できるようになり、利得領域3で増幅されて半導体レーザ増幅器1から出射する。出射光を波長選択器13に導き、出力信号光パルス列23を得る。高速動作のためにPIN構造の半導体レーザ増幅器を使用し、可飽和吸収領域2の光路長を利得領域3の光路長より短くし、可飽和吸収領域2に逆バイアスを印加する。

請求項（抜粋）：

一部分に可飽和吸収領域が設けられた半導体レーザ増幅器と、前記半導体レーザ増幅器に対して入力信号光パルス列及びゲート光パルス列を結合する光結合手段と、前記半導体レーザ増幅器から出射する信号光パルス列を前記ゲート光パルス列から分離して取り出す選択手段と、を有する光機能増幅素子。

IPC (4件)：

G02F 1/025 ,  G02F 3/00 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

G02F 1/025 ,  G02F 3/00 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光識別再生器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217671   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-235033
  
• 光識別再生器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-225025   出願人：日本電信電話株式会社