特許

J-GLOBAL ID：200903084620459512

半導体素子のキャパシタ構造及びその作製方法

発明者： ニコラス・ナーゲル ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059972
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191133
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】強誘電体層が高い残留分極±Prを有し且つ残留分極±Prを高い状態に維持するために、強誘電体層をその上にエピタキシャル成長させることができ、しかも低い抵抗率を有する下部電極層を備えた半導体素子のキャパシタ構造を提供する。【構成】半導体素子のキャパシタ構造は、(イ)基体10上に形成された多結晶材料若しくは安定化ジルコニアから成る下地層20と、(ロ)下地層20上に形成された高配向性を有するバッファ層21と、(ハ)バッファ層21上に形成された高配向性を有する下部電極層22と、(ニ)下部電極層22上にエピタキシャル成長にて形成された強誘電体層23と、(ホ)強誘電体層23上に形成された上部電極層24から成り、下部電極層22はPt{100}から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に形成されたアモルファス材料若しくは安定化ジルコニアから成る下地層と、(ロ)該下地層上に形成された高配向性を有するバッファ層と、(ハ)該バッファ層上に形成された高配向性を有する下部電極層と、(ニ)該下部電極層上にエピタキシャル成長にて形成された強誘電体層と、(ホ)該強誘電体層上に形成された上部電極層、から成り、前記下部電極層はPt{100}から成ることを特徴とする半導体素子のキャパシタ構造。

IPC (10件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/76 M ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371