特許

J-GLOBAL ID：200903084627305804

ダイヤモンド膜の製造方法およびそれを用いた電子デバイスの製造方法

発明者： 嘉数 誠 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-042603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243314
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 正孔の移動度を飛躍的に増加させることを可能にするダイヤモンド膜の製造方法、および、それを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (001)面方位を有する高温高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上にマイクロ波プラズマ化学気相堆積法で成長するダイヤモンド膜2の製造方法であって、ダイヤモンド膜2の成長時の基板温度を摂氏640度から680度までの範囲にし、成長後のダイヤモンド膜2の厚さを1μmから3μmの範囲にした。

請求項（抜粋）：

(001)面方位を有する高温高圧合成ダイヤモンド単結晶基板上にマイクロ波プラズマ化学気相堆積法で成長するダイヤモンド膜の製造方法であって、前記ダイヤモンド膜の成長時の基板温度を摂氏640度から680度までの範囲にし、成長後の前記ダイヤモンド膜の厚さを1μmから3μmの範囲にしたことを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/27 ,  C30B 29/04 E ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (45件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077EH01 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TK06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F140AA01 ,  5F140BA04 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE20 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ダイヤモンドの合成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212447   出願人：科学技術庁無機材質研究所長
• ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-174722   出願人：科学技術振興事業団, 科学技術庁無機材質研究所長

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 金属/ダイヤモンド薄膜の接合特性とその制御