特許
J-GLOBAL ID：200903084630791744
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151573
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】誘電体分離基板を用いた半導体集積回路装置において、高耐圧化と高集積化とを同時に達成することを目的とする。【構成】半導体島1の選ばれた電極32と支持体の半導体基板23とを同電位とした点にある。【効果】主接合が逆バイアスされて形成される空乏層がシリコン酸化膜を越えて支持体側に延びるため半導体島を浅くでき、また空乏層が支持体側に延びることにより半導体島を横方向に延びる空乏層の延びを抑制し、半導体島の横方向寸法を小さくでき、これにより高耐圧化と高集積化とを同時に達成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体層とそれに隣接する第1の半導体層より高不純物濃度を有する第2の半導体層とからなる支持体と、支持体の第1の半導体層に絶縁層を介して表面を露出するように埋設され、その中に所望の回路素子が形成される複数個の半導体島と、支持体の第2の半導体層に設けられた補助電極とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
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