特許
J-GLOBAL ID：200903084631211865
ケイ素化合物の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-212992
公開番号（公開出願番号）：特開2004-051848
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】簡単な操作で、高収率で籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明は、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体であるトリシラノール化合物とアミノ基又は置換アミノ基を有するアルコキシシランのみを必須成分とする反応系での反応により、高収率で籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体が得られる。【選択図】 選択図なし
請求項（抜粋）：
一般式(A)で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体と一般式(B)で表されるアミノ基及び/又は置換アミノ基を有するアルコキシシランから、一般式(C)で表される籠状シルセスキオキサン、一般式(D)で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体、あるいは一般式(E)で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体から選ばれる少なくとも1種を合成することを特徴とする籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を製造する方法。
(RSiO3/2)n(RSiO2H)3 (A)
R1R2m-1Si(OR3)4-m (B)
(RSiO3/2)n+3(R1SiO3/2) (C)
(RSiO3/2)n+h(RSiO2H)3-h(R1R2m-1SiO(4-m)/2)k (D)
(RSiO3/2)n+3(R1R2SiO)(R1R2SiO3/2H) (E)
(一般式(A)〜(E)において、Rは水素原子、炭素原子数1から20の置換又は非置換の炭化水素基又はケイ素原子数1から10のケイ素原子含有基から選ばれ、複数のRは同一でも異なっていても良い。R1は一般式(A)のRにおいて、アミノ基又は置換アミノ基から選ばれる少なくとも一つの基を置換基として含有する基である。R2は一般式(A)のRと同じである。複数のR1及び/又はR2は同一であっても異なっていても良い。OR3は炭素原子数1から6のアルコキシル基である。nは2から10の整数で、mは1から3の整数である。ただし、一般式(D)においては、m=2又は3であり、m=2の場合にはk=1、h=2であり、m=3の場合にはk=h=1から3の整数である。)
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
4J035BA14
, 4J035CA051
, 4J035CA191
, 4J035EB02
