特許

J-GLOBAL ID：200903084633617281

エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 長谷川 達志 ,  鶴岡 泰治 ,  見田 充郎 ,  高 青竹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140251
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335082
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 基板温度を550°C以上まで上昇させることによっても、ZnSが分解消失しないバッファ層及び発光層を形成し、発光層の結晶度を上昇させ、より輝度の高いエレクトロルミネッセンス素子を得る。【構成】 絶縁膜と発光母体材料としてSrS、CaS、BaSなどのアルカリ土類硫化物を用いた発光層との間にZnSバッファ層を挟んだ構造のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、ZnSバッファ層24を蒸着後、ZnSの分解速度が十分小さい150°Cにおいて、前記アルカリ土類硫化物の発光層を目的とする膜厚の一部のみを蒸着して、第1の発光層(SrS)25aを形成し、その後、基板温度を発光層の蒸着の最適基板温度550°Cまで上昇させ、発光層を目的とする膜厚まで蒸着し、第2の発光層(SrS)25bを形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜と発光母体材料としてアルカリ土類硫化物を用いた発光層との間にZnSバッファ層を挟んだ構造のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、(a)前記ZnSバッファ層を蒸着後、基板温度を500°C以下にして前記発光層を目的とする膜厚の一部となる第1の発光層のみを蒸着する工程と、(b)その後、基板温度を前記発光層の蒸着の最適基板温度まで上昇させ、第2の発光層を形成し、発光層を目的とする膜厚まで蒸着する工程とを施すことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14