特許

J-GLOBAL ID：200903084636927397

強誘電体キャパシタ及びその製造方法

発明者： 鄭 一 燮 ,  柳 寅 敬 ,  鄭 智 元 ,  セシュ ビー.デス
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253838
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213560
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 履歴特性、残留分極(Pr)、金属電極と伝導性酸化膜の接触性、抗電界(Ec)及び履歴曲線形態が優れている強誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 強誘電体キャパシタの製造に際して、SiO2/Si基板1,2上に形成された金属電極3,4,8と強誘電体層6との界面に、強誘電体キャパシタの膜疲労及び漏洩電流特性を改善するために、酸化膜5,7を形成することである。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタの製造に際して、SiO2/Si基板上に形成された金属電極と強誘電体層との界面に、強誘電体キャパシタの膜疲労及び漏洩電流特性を改善するために、酸化膜を形成することを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/16 ,  H01G 4/33 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167860   出願人：セイコーエプソン株式会社