特許

J-GLOBAL ID：200903084638906087

配線基板

発明者： 本上 満 ,  川島 敏行 ,  田原 伸治 ,  池田 健一
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 崇生 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196007
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017826
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 配線部の高周波特性や耐ノイズ性を改善しながら、キャパシタを小型で形成することができ、しかも積層構造や製造工程が煩雑化しにくい配線基板を提供する。【解決手段】 絶縁層10の両側に形成された導体層20,30の少なくとも一方がキャパシタCの電極を形成するキャパシタ形成部21と回路を配線する配線部22とを有する積層構造を備える配線基板であって、前記絶縁層10を多孔質膜11の複合体で形成すると共に、その多孔質膜11への充填材の充填の有無により又は充填する充填材の相違により、前記キャパシタ形成部21に介在する絶縁層10aを、前記配線部22に介在する絶縁層10bよりも高い誘電率としてある。

請求項（抜粋）：

絶縁層の両側に形成された導体層の少なくとも一方がキャパシタの電極を形成するキャパシタ形成部と回路を配線する配線部とを有する積層構造を備える配線基板であって、前記絶縁層を多孔質膜の複合体で形成すると共に、その多孔質膜への充填材の充填の有無により又は充填する充填材の相違により、前記キャパシタ形成部に介在する絶縁層を、前記配線部に介在する絶縁層よりも高い誘電率としてある配線基板。

IPC (4件)：

H05K 1/16 ,  H01G 4/33 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 1/16 D ,  H05K 1/03 610 T ,  H05K 3/46 Q ,  H01G 4/06 101

Fターム (36件)：

4E351AA01 ,  4E351AA15 ,  4E351BB03 ,  4E351BB05 ,  4E351BB09 ,  4E351BB30 ,  4E351BB35 ,  4E351DD41 ,  4E351DD54 ,  4E351GG01 ,  4E351GG06 ,  5E082AB01 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082FF05 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA33 ,  5E346AA36 ,  5E346AA51 ,  5E346BB20 ,  5E346CC02 ,  5E346CC05 ,  5E346CC08 ,  5E346CC16 ,  5E346CC21 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346EE09 ,  5E346EE13 ,  5E346FF45 ,  5E346GG28 ,  5E346HH22 ,  5E346HH31