特許
J-GLOBAL ID：200903084648887854
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-142464
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014831
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】半導体装置に配線形成を行う時の構造とその製造方法において、表面凹凸が大きくなる事を防ぐ。【構成】第1の絶縁膜3上に、第2の絶縁膜4を形成し、その絶縁膜に拡散層3に達する接続用開口部と配線用パターン開口部を設け、配線材料5を成膜し、配線材料5をフォトリソグラフィ技術によらず、エッチング保護膜6を利用して、直接全面エッチングする事によって、配線形成する。これにより、配線形成後の半導体装置表面の凹凸が小さい構造が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成された拡散層と、該拡散層上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜より形成され前記拡散層に達する第1の開口部と、前記第2絶縁膜の必要な箇所に形成された配線パターン開口部と、前記第1の開口部及び前記配線パターン開口部に形成された第1の配線材料とを含み基板表面がほぼ平坦に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/3213
, H01L 21/82
H01L 21/88 K
, H01L 21/82 W
, H01L 21/88 C
, H01L 21/88 A
