記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内進 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151752
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340413
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】リード時のノンリニアビットシフトに対し逆方向に書込電流の切替点をずらすプリコンペ量を環境温度に応じて変化させ、ノンリニアビットシフトの影響をキャンセルしてエラーレイトを向上する。【解決手段】パーシャルレスポンス最尤検出(PRML)により復調するための情報を媒体に書込む磁気ディスク装置等の記憶装置であり、ライト・プリコンペ回路1は、長い磁気反転間隔と短い磁化反転間隔に続くつぎの磁化反転間隔との境界位置を与える書込電流の切替点のタイミングを、所定のライト・プリコンペ量だけ予め遅延して記録することによって、リード時にシフトした読取信号のピーク位置を正しい位置とするように補償する。設定処理部2は、温度センサ3で検出された環境温度Tに応じて、ライト・プリコンペ回路1にライト・プリコンペ量の最適値に設定する。

請求項（抜粋）：

パーシャルレスポンス最尤検出により復調するための情報を媒体に書き込む記憶装置に於いて、長い磁化反転間隔と短い磁化反転間隔に続く次の磁化反転間隔を与える書込電流の切替点のタイミングを、所定のライト・プリコンペ量だけ予め遅延させることによって、リード時にシフトした読取信号のピーク位置を正しい位置とするように補償するライト・プリコンペ回路と、温度センサで検出された環境温度に応じて、前記ライト・プリコンペ回路のライト・プリコンペ量を最適値に設定する設定処理部と、を備えたことを特徴とする記憶装置。

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