特許

J-GLOBAL ID：200903084650039208

半導体素子の製造方法

発明者： 上田 禎亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233627
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074167
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 スクライブ・ブレイク方式の半導体素子の製造方法は、ダイシング切り残し部は薄いほうが好ましいが、この場合、ウエハテストやウエハ取り扱い中にウエハ割れが起こりやすかった。一方、ダイシングの切り残し量が大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割の残りが発生しする。また、分割過程で押圧力を大きくするとウエハの分割形状が悪化し、歩留まりが悪くなる怖れがあった。【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分離する工程と、を含むことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/02 C ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 33/00 N ,  H01L 21/78 L