半導体デバイス用シリコンウェーハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068218
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260393
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス用シリコンウェーハにおいて、イントリンシックゲッタリング(IG)処理における過剰な酸素析出量を簡便な方法で抑制し、酸素析出量を所望の値に制御する。【解決手段】半導体デバイス用シリコンウェーハを製造する工程において、該ウェーハを、IG処理を行う前に、850°Cから1000°Cの温度範囲で、短時間熱処理する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス用シリコンウェーハを製造する工程において、該ウェーハを、イントリンシックゲッタリング(IG)処理を行う前に、850°Cから1000°Cの温度範囲で、短時間熱処理し、IG処理により析出するシリコンウェーハ中の酸素析出物の量を抑制することを特徴とする半導体デバイス用シリコンウェーハの製造方法。

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