特許
J-GLOBAL ID：200903084665424655
静電容量型センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071684
公開番号（公開出願番号）：特開平11-271160
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：
【要約】【課題】 ガラス基板の上面に電極を形成し、この電極とわずかな間隙を保持してシリコン基板の肉薄部を配置し、シリコン基板の肉薄部のたわみ量を静電容量の変化として取り出して、各種の物理量を電気信号として取り出す静電容量型センサにおいて、シリコン基板と電極との対向間隙内に切クズ等が侵入することを阻止する機能を設ける。【解決手段】 電極を取り囲んで形成され、シリコン基板7を電極3から所定の間隙を保持して支持するための突条2に切欠6が形成され、この突条6を通じて電極から引出部4を導出させ、端子5に接続する構造の静電容量型センサにおいて、引出部の一部に幅広部4Aを形成し、この幅広部4Aによって切クズ等の侵入を阻止する構造とした。
請求項（抜粋）：
ガラス基板の一方の面に形成された電極と、この電極とわずかな間隙を保持して配置したシリコン基板と、上記ガラス基板に一体成形され、上記電極の外周を取り囲んで配置されて、上記シリコン基板を上記電極と所定の間隙を保持して支持するための突条と、この突条の一部に形成され、上記電極から導出する引出部を引き出すための切欠とを具備して構成される静電容量型センサにおいて、上記切欠に近接して上記引出部に幅広部を形成した構造としたことを特徴とする静電容量型センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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