化合物半導体及びその製造方法並びに化合物半導体発光素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190817
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064249
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】従来、GaN系化合物半導体では得られなかった、結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体及びその製造方法、並びにこの化合物半導体を利用した、電気的特性及び光学的特性の優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の化合物半導体によれば、Ga1-xAlxN層(0≦x≦1)に、Inが添加されるとともに、ドナー不純物がドーピングされることを特徴とする。このような化合物半導体により形成される結晶に圧縮歪みを与え、窒素空孔に起因する結晶中の拡張歪を緩和することができるので、格子欠陥の少ない結晶性に優れた良好なN型化合物半導体が得られる。

請求項（抜粋）：

Ga1-xAlxN層(0≦x≦1)に、Inが添加されるとともに、ドナー不純物がドーピングされることを特徴とする化合物半導体。

IPC (3件)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 610 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AF04 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F073AA46 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-218625
特開平3-211888
特開昭64-039082

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