特許
J-GLOBAL ID：200903084672476679
集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップとその製造方法,接続方法、及び集積ペルチェ・ゼーベック素子パネル又はシート、並びにエネルギー直接変換システム及びエネルギー転送システム
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
橋本 剛
, 鵜澤 英久
, 藤井 茂雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194596
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019422
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップを多数個同時に生成するための製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上にゼーベック係数の異なる第1の導電部材と第2の導電部材を形成し、これをオーミックコンタクトで接続するとともに、オーミックコンタクトで接続した面を熱伝導性に優れ接合面に電気的絶縁性を持たせた材料の板、例えば、アルマイト加工等により表面に電気的絶縁性を持たせたアルミ板で覆うようにする。そして、反対側の面の第1及び第2の導電部材にオーミックコンタクトでボンディング・ワイヤーを接続し、このボンディング・ワイヤーを互いに絶縁して、集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップの出力端子とする。このように作成した集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップをシリアル又はパラレルケーブルで複数接続して電気から熱へのエネルギー変換装置、及び、熱エネルギー転送装置を得る。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
一様な厚さの非晶質シリコン基板又は多結晶シリコン基板又は単結晶シリコン基板の1つを作成するステップと、
前記シリコン基板上に、1チップごとに偶数個の酸化させない部分を残すマスクパターンを転写し、複数のチップを形成するステップと、
前記マスクパターンに対応した酸化させない部分のネガレジストを形成したシリコン基板を酸化炉にいれて酸素と化学反応をさせ、シリコン基板のマスクパターンに対応した部分以外を二酸化シリコンへ変成させ、酸化させない部分以外の基板全体を電気的な絶縁材料に変化させた基板を形成するステップと、
前記基板内に形成された1チップごとの隣り合う二つ酸化させない部分を異なるゼーベック係数を有する第1導電部材と第2導電部材に変成させるステップと、
前記隣り合う第1導電部材と第2導電部材の片方の面を第1の導電性接合部材でオーミックコンタクトにより接続して熱伝導端部を形成するステップと、
前記第1の導電性接合部材とは反対側の第1導電部材と第2導電部材の面を第2の導電性接合部材でオーミックコンタクトにより覆って第1及び第2導電部材の端子側部を形成するステップと、
前記第1及び第2導電部材の各端子側部に複数の第3導電性接合部材を電気的に接続し、前記複数の第3導電性接合部材のそれぞれが並列に配列され、かつ前記第3の導電性接合部材のそれぞれは互いに電気的に絶縁された状態で外部回路に接続される接続端子部を形成するステップと、
前記絶縁材料基板全面に前記1チップに対して行われる各工程を複数回繰り返して順次実施するステップを、含み、
多数個のチップを同時に作成することを特徴とする集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 35/34
, H01L 23/38
, H01L 35/14
, H01L 35/30
, H01L 35/32
H01L35/34
, H01L23/38
, H01L35/14
, H01L35/30
, H01L35/32 A
