特許

J-GLOBAL ID：200903084682876667

半導体微粒子または金属微粒子分散材料の製造方法

発明者： 棚橋 一郎 ,  吉田 勝 ,  三露 常男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303127
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 均一な粒径を有する半導体微粒子および/または金属微粒子を高い濃度で分散することが可能で、大きな3次の非線形光学特性を有する材料を容易に製造する方法を提供する。【構成】 Si(OC2 H5 )4 のエタノール溶液に等モル量のCd(NO3 )2 の水溶液とSC(NH2 )2 の水溶液とを混合し、酸素ガス雰囲気下でプラズマ化学蒸着を行い、石英ガラス上に粒径3 〜3.5 nmのCdS微粒子8wt% が分散したSiO2 ガラス薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体微粒子源および/または金属微粒子源を含有した金属アルコキシド溶液を原料として、プラズマ化学蒸着法により、半導体微粒子および/または金属微粒子を分散したセラミックス薄膜を作製する半導体微粒子および/または金属微粒子分散材料の製造方法。