特許

J-GLOBAL ID：200903084686254849

半導体装置の配線形成方法

発明者： ヤング-クウォン ジュン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204013
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【課題】全厚さを変えることなく導電層を平坦化して、微細パターンニングにおいても抵抗特性と信頼性とが良好で、整合性と再現性とに優れた半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に第1導電性膜8を形成する工程と、第1導電性膜8より低融点の第2導電性膜12を第1導電性膜8上に形成する工程と、第2導電性膜12のみを流動化する工程からなる。第1導電性膜8は化学気相蒸着法で形成し、第2導電性膜12は第1導電性膜8の表面に不純物イオンを注入するか、化学気相蒸着またはスパッタリングで形成する。第1導電性膜8はAlあるいはAl合金で形成し、不純物としてはSi、Cu、Ga、Ge、Pd、Sn、V等を用い、第2導電性膜12は第1導電性膜8より多くの不純物を含み、不純物濃度は、第2導電性膜12の融点が第1導電性膜8の融点より約10°C以上低くなるように設定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の配線形成方法において、基板上に第1導電性膜を形成する工程と、上記第1導電性膜より低融点の第2導電性膜を上記第1導電性膜上に形成する工程と、上記第2導電性膜のみを流動化する工程と、を含んでなることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-215131
  
• 特開昭63-169043
  
• 特開平4-062844
  
• 特開平4-017357