特許

J-GLOBAL ID：200903084706479079

CMOSイメージセンサ及びその製造方法

発明者： フアン,ジューン
出願人/特許権者： 東部亞南半導體株式會社
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-373107
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080476
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】素子分離領域のトレンチ内壁のシリコン格子構造が損傷された部分に不純物イオンを注入してフォトダイオードが損傷されるのを防止してフォトダイオード領域の表面を保護し、低照度特性などの受光特性を向上させることができるCMOSイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 アクティブ領域と素子分離領域が形成されるp型半導体基板に少なくとも第1、第2パッド膜を形成する段階と、素子分離領域の少なくとも第1、第2パッド膜を除去して露出された半導体基板を選択的に除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ内壁の第1P型不純物領域を形成する段階と、トレンチを満たすように基板の全面に素子分離用絶縁膜を形成する段階と、トレンチ領域にだけ残るように素子分離用絶縁膜を除去し、第2パッド膜を除去する段階と、アクティブ領域にn型イオンを注入してフォトダイオード領域を形成する段階とを含む。【選択図】図4d

請求項（抜粋）：

素子分離領域とアクティブ領域を有する半導体基板と、 前記半導体基板のアクティブ領域にp型不純物領域に取り囲まれるように形成され、光の照射により光電荷を生成するフォトダイオードと、 前記フォトダイオードの垂直線上に形成されるカラーフィルタ層及びマイクロレンズとを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L21/76 N ,  H01L21/76 S

Fターム (27件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AC01 ,  5F032BA01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA04 ,  5F032DA12 ,  5F032DA22 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MOS型固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-342290   出願人：株式会社東芝
• 光電変換装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-118746   出願人：ソニー株式会社