特許
J-GLOBAL ID:200903084707902099

半導体デバイス用リードフレーム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北村 欣一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-012834
公開番号(公開出願番号):特開平10-189858
出願日: 1989年06月01日
公開日(公表日): 1998年07月21日
要約:
【要約】【課題】半導体デバイスのリードフレームの粗面を改良して気密性を向上させる。【解決手段】半導体デバイス用リードフレームの金属板1bの表面に、周面に深さ100μm以下の線状の凹溝6の多数本を100μm以下の間隔を存して互に交叉させて形成した圧延成形ロール4、5により該凹溝と適合した互いに交叉する線状の突起7を形成して粗面とした【効果】互いに交叉した細かい線状の突起がモールド材と接触して表面の気密性が向上し、水分等の浸入を防いで半導体デバイスの絶縁性が良好になり、金属板の成形仕上げと同時に粗面化出来るのでその作業性も良い
請求項(抜粋):
半導体デバイス用リードフレームの金属板の表面に、周面に深さ100μm以下の線状の凹溝の多数本を100μm以下の間隔を存して互に交叉させて形成した圧延成形ロールにより該凹溝と適合した互いに交叉する線状の突起を形成して粗面としたことを特徴とする半導体デバイス用リードフレーム。
IPC (3件):
H01L 23/50 ,  B21B 1/22 ,  B21B 27/00
FI (4件):
H01L 23/50 H ,  B21B 1/22 L ,  B21B 1/22 C ,  B21B 27/00 B

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