特許

J-GLOBAL ID：200903084709409578

固体撮像素子のスミア電荷量の算出方法及びスミア除去回路

発明者： 東堤 良仁 ,  中莖 俊朗 ,  高橋 達也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311381
公開番号（公開出願番号）：特開平9-154064
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像素子の垂直転送によって発生するスミア電荷量を算出する。【解決手段】 受光ビットに情報電荷を蓄積する期間とフレーム転送の期間とで受光ビットの単位時間あたりの蓄積電荷量が均一であると仮定し、各受光ビットを通して転送される情報電荷に加算されるスミア電荷量を受光期間中にその受光ビットに蓄積された情報電荷量から、各受光ビットでの情報電荷の蓄積時間とフレーム転送の周期との比に基づいて推定する。転送経路にある受光ビットの分だけスミア電荷量を順次加算することにより、最終的に出力される出力電荷量に含まれるスミア電荷量を算出する。

請求項（抜粋）：

複数の受光ビットが行方向及び列方向に配置された固体撮像素子で、所定の期間に各受光ビットに蓄積される情報電荷を一定の周期で列方向に転送すると共に、1行ずつ行方向に転送して出力する際、各受光ビットに蓄積された情報電荷を列方向に転送する過程で混入するスミア電荷の量を、各受光ビットに蓄積された情報電荷量から情報電荷の蓄積時間と情報電荷の列方向への転送周期との比に基づいて各受光ビット毎に推定し、この推定値を情報電荷の転送経路にある受光ビット数分累加算してスミア電荷量の合計を算出することを特徴とする固体撮像素子のスミア電荷量の算出方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-334275
  
• 特開平4-334275
  
• 特開平4-334275